TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）以过渡区为0.6 um的硅双漂移二极管为代表，安装在铜散热器上。双漂移二极管中的层为：重掺杂（p +）区域，中掺杂（p +）区域，中掺杂n区域和重掺杂（n +）区域。 （p +）和（n +）区域允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来产生并维持振荡。
TeraSense系列太赫兹源（IMPATT二极管）以过渡区为0.6 um的硅双漂移二极管为代表，安装在铜散热器上。双漂移二极管中的层为：重掺杂（p +）区域，中掺杂（p +）区域，中掺杂n区域和重掺杂（n +）区域。 （p +）和（n +）区域允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来产生并维持振荡。
Terasense现在正在提供其太赫兹源的升级版本，升级后的IMPATT二极管配有保护隔离器，可显着提高输出功率的稳定性。从现在起，您可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。在100 GHz处优化频率的太赫兹源的典型输出射频功率可以达到2 W.
此外，TeraSense信号源还具有人体工程学设计和易用性，同时可以选择提供带有衰减器和开关部分的太赫兹发生器。
Model
输出功率版本（可选）
100GHz
＞80mW
＞180mW
＞400mW
＞0.8W
＞1.8W
140GHz
＞30mW
＞90mW
＞180mW
＞300mW
＞600mW
200GHz
＞40mW
80mW
＞200mW
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263GHz
＞10mW
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300GHz
＞10mW@290GHz
＞20mW@280GHz
＞40mW@280GHz
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600GHz
＞1.5mW@580GHz
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标准调制：
TTL
可选天线：
喇叭式天线，法兰输出，增益：20-25dB
可选外调制：
基频：85-100GHz，140GHz；调制频率：＜200MHz；开关时间：＜2ns；插损：＜1.5dB。
备注：
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